Skripsi
Studi Penggunaan Transistor BJT Tipe NPN Untuk Mendeteksi Radiasi Alpha
Radiasi alpha yang mengenai transistor akan menyebabkan tegangan berlebih pada tegangan operasionalnya. Oleh karena itu perlu diteliti kemungkinannya untuk dijadikan detektor karena selama ini harganya mahal. Terlebih lagi detektor semikonduktor memanfaatkan lapisan pengosongan yang juga dimiliki oleh transistor. Pada penelitian ini sumber radiasdi menggunakan Am-241 dan transistor beroperasi dengan basis terbuka dan tegangan luar 40 volt dan dilakukan penguatan sinyal sebesar 40 kali. Pengaruh radiasi direkam menggunakan software cool edit dan dibandingkan dengan TRIM. Transistor yang dipakai adalah 2N3055 yang tidak dilapisi dengan anti radiasi. (Jml)
Judul | Edisi | Bahasa |
---|---|---|
Standard Method for Testing the Long Term Alpha Irradiation Stability of Solidified High Level Radioactive Waste Forms | en |